修平科大參加「2019年俄羅斯阿基米德國際發明展」表現亮麗，2組參賽，獲得2面金牌佳績，獲獎率達百分百。4月11日上午8時，校長鄧作樑在A0509會議室接見得獎師生團隊，慶賀他們研發成果被國際肯定，也勉勵師生在接下來的國際大賽，繼續努力奪牌，為校爭光。
2019年俄羅斯阿基米德國際發明展，有35個國家參賽，八百多件作品參展。修平科大師生以2件作品代表參賽，榮獲2金佳績。
電機系蕭明椿教授、電子系余建政副教授、吳駿逸、林冠篁、周含科、高慶沅以作品「具高寫入速度之7T靜態隨機存取記憶體」榮獲金牌。藉由寫入驅動電路以及控制電路的設計，以有效提高儲存節點由邏輯0寫入邏輯1之寫入初始電壓，並大幅地提昇寫入邏輯1之速度；於讀取時，使用高電壓選擇電路以減少讀取路徑之電阻，從而大幅地加速位元線之放電速度與提高讀取邏輯0之速度，同時本發明能有效減少整體電路之電晶體數量達12%。
電子系高銘政教授、陳宏仁教授、楊尚霖教授、許秦維、萬仁德，以作品「電阻式記憶體之結構改良」，榮獲金牌。這是一種電阻式記憶體之結構改良，其構成包含一應用於電阻式記憶體架構之電阻器，該電阻器係為第一金屬層、絕緣層、第二金屬層的電容結構，主要係令該第一金屬層係於一基板上依序形成一二氧化鉿層、二氧化鋯層與鉑電極層而形成，而該絕緣層係由一金屬氧化物薄膜所形成，該第二金屬層則由一鉑電極層所形成，藉此能提昇記憶體讀寫速度及穩定性。
